分离式半导体产品 IPW65R041CFD品牌、价格、PDF参数

IPW65R041CFD • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPW65R041CFD Infineon Technologies MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 0 1:$17.69000
10:$16.08200
100:$13.66990
250:$12.46372
500:$11.65960
1,000:$10.69466
2,500:$10.25240
5,000:$9.97096
10,000:$9.64932
IPW65R041CFD • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 68.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 41 毫欧 @ 33.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 3.3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8400pF @ 100V
功率 - 最大: 500W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *