分离式半导体产品 IPB65R420CFD品牌、价格、PDF参数

IPB65R420CFD • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB65R420CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 0 1:$3.54000
10:$3.18300
25:$2.88840
100:$2.59360
250:$2.35780
500:$2.06308
BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 0 1:$1.19000
10:$1.06700
25:$0.94160
100:$0.84730
250:$0.73744
500:$0.65898
1,000:$0.51777
2,500:$0.48639
IPB65R420CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 0 1,000:$1.65046
2,000:$1.56794
5,000:$1.50310
10,000:$1.46184
25,000:$1.41468
BSZ100N06LS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 0 5,000:$0.41735
10,000:$0.40010
25,000:$0.38911
50,000:$0.37656
IPB65R420CFD • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 420 毫欧 @ 3.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 340µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 870pF @ 100V
功率 - 最大: 83.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263
包装: 剪切带 (CT)