型号
分离式半导体产品 IPW65R110CFD品牌、价格、PDF参数
IPW65R110CFD
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPW65R110CFD
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
0
1:$10.38000
10:$9.34000
100:$7.67920
250:$7.05652
500:$6.43390
1,000:$5.60372
2,500:$5.39617
5,000:$5.18863
10,000:$5.08485
IPW65R110CFD
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
31.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
110 毫欧 @ 12.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4.5V @ 1.3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
118nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
3240pF @ 100V
功率 - 最大:
277.8W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-247-3
供应商设备封装:
PG-TO247-3
包装:
管件
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