分离式半导体产品 IPW65R110CFD品牌、价格、PDF参数

IPW65R110CFD • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPW65R110CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 0 1:$10.38000
10:$9.34000
100:$7.67920
250:$7.05652
500:$6.43390
1,000:$5.60372
2,500:$5.39617
5,000:$5.18863
10,000:$5.08485
IPW65R110CFD • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 31.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫欧 @ 12.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1.3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3240pF @ 100V
功率 - 最大: 277.8W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: PG-TO247-3
包装: 管件