分离式半导体产品 IPI045N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPI045N10N3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPI045N10N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3	0	1:$3.86000 10:$3.44600 25:$3.10160 100:$2.82570 250:$2.55004 500:$2.28814 1,000:$1.92976 2,500:$1.83327 5,000:$1.75746
IPA65R110CFD	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220	0	10,000:$3.82313

IPI045N10N3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	4.5 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	3.5V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	117nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	8410pF @ 50V
功率 - 最大:	214W
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装:	PG-TO262-3
包装:	管件

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