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分离式半导体产品 SIHS36N50D-E3品牌、价格、PDF参数

SIHS36N50D-E3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHS36N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V D SUPER-247 50
SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S SC70-6L 0
SIHS36N50D-E3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 36A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫欧 @ 18A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3233pF @ 100V
功率 - 最大: 446W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: SUPER-247（TO-274AA）
包装: 管件
电脑版（www.mmic.net.cn）
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