分离式半导体产品 IPB530N15N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB530N15N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 2,000 1,000:$0.79489
2,000:$0.74007
5,000:$0.71266
10,000:$0.68525
25,000:$0.67155
50,000:$0.65784
IPI024N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 0 500:$2.38508
IPD048N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 0 2,500:$0.70322
IPD50R500CE Infineon Technologies MOSF 500V 7.6A PG-TO252 0 2,500:$0.70281
5,000:$0.67678
12,500:$0.65075
25,000:$0.63774
62,500:$0.62472
IPB530N15N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 35µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 887pF @ 75V
功率 - 最大: 68W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: 带卷 (TR)