分离式半导体产品 IPI024N06N3 G品牌、价格、PDF参数

IPI024N06N3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPI024N06N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3	0	500:$2.38508
IPD048N06L3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3	0	2,500:$0.70322
IPD50R500CE	Infineon Technologies	MOSF 500V 7.6A PG-TO252	0	2,500:$0.70281 5,000:$0.67678 12,500:$0.65075 25,000:$0.63774 62,500:$0.62472

IPI024N06N3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	2.4 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	4V @ 196µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	275nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	23000pF @ 30V
功率 - 最大:	250W
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装:	PG-TO262-3
包装:	管件

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