分离式半导体产品 IPD048N06L3 G品牌、价格、PDF参数

IPD048N06L3 G • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
IPD048N06L3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3	0	2,500:$0.70322
IPD50R500CE	Infineon Technologies	MOSF 500V 7.6A PG-TO252	0	2,500:$0.70281 5,000:$0.67678 12,500:$0.65075 25,000:$0.63774 62,500:$0.62472

IPD048N06L3 G • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	4.8 毫欧 @ 90A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.2V @ 58µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	8400pF @ 30V
功率 - 最大:	115W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:	PG-TO252-3
包装:	带卷 (TR)

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