分离式半导体产品 BSC109N10NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSC109N10NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC109N10NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON 0 1:$2.16000
10:$1.85000
25:$1.66440
100:$1.51040
250:$1.35632
500:$1.17136
1,000:$0.98640
2,500:$0.89392
IPB65R190CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 0 1,000:$2.60316
2,000:$2.47300
5,000:$2.37074
10,000:$2.30566
25,000:$2.23128
IPD90N04S4-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 0 2,500:$0.80068
BSC109N10NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 63A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10.9 毫欧 @ 46A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 45µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 50V
功率 - 最大: 78W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8
包装: 剪切带 (CT)