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分离式半导体产品 IPB65R190CFD品牌、价格、PDF参数

IPB65R190CFD • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB65R190CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 0 1,000:$2.60316
2,000:$2.47300
5,000:$2.37074
10,000:$2.30566
25,000:$2.23128
IPD90N04S4-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 0 2,500:$0.80068
IPB65R190CFD • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 17.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫欧 @ 7.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 730µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 100V
功率 - 最大: 151W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263
包装: 带卷 (TR)
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