分离式半导体产品 IPP086N10N3 G品牌、价格、PDF参数

IPP086N10N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPP086N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 0 1:$2.50000
10:$2.25800
25:$2.01560
100:$1.81420
250:$1.61260
500:$1.41102
1,000:$1.16914
2,500:$1.08850
5,000:$1.04819
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 2,000 1:$1.92000
10:$1.64500
25:$1.48000
100:$1.34310
250:$1.20604
500:$1.04158
IPB100N04S4-H2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 0 1,000:$0.77880
IPA65R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 0 10,000:$0.77051
IPP086N10N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.6 毫欧 @ 73A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 75µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3980pF @ 50V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: PG-TO220-3
包装: 管件