型号

分离式半导体产品 IPB100N04S4-H2品牌、价格、PDF参数

IPB100N04S4-H2 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB100N04S4-H2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 0 1,000:$0.77880
IPA65R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 0 10,000:$0.77051
IPB100N04S4-H2 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.4 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 70µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7180pF @ 25V
功率 - 最大: 115W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-3-2
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020