分离式半导体产品 SI4470EY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4470EY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC 0
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT 0
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT 0
SI1402DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 0
SI3451DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP 0
SI4486EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC 0
SI4684DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0
SI4831BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 0
SI5479DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET 0
SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET 0
SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP 0
SI7156DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC 0
SI4470EY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.85W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: Digi-Reel®