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分离式半导体产品 SI5857DU-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5857DU-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET 0
SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP 0
SI7156DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC 0
SI5857DU-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 58 毫欧 @ 3.6A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 10V
功率 - 最大: 10.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装: PowerPAK? ChipFet 双
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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