型号
分离式半导体产品 SI6473DQ-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI6473DQ-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI6473DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP
0
SI7156DP-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
0
SI6473DQ-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
6.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
12.5 毫欧 @ 9.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
70nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
1.08W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:
8-TSSOP
包装:
带卷 (TR)
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