分离式半导体产品 SI3451DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3451DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3451DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP 0
SI4486EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC 0
SI4684DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0
SI4831BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 0
SI5479DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET 0
SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET 0
SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP 0
SI7156DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC 0
SI3451DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 115 毫欧 @ 2.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 10V
功率 - 最大: 2.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 带卷 (TR)