分离式半导体产品 SI5504BDC-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI5504BDC-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 0 3,000:$0.40600
6,000:$0.38570
15,000:$0.36975
30,000:$0.35960
75,000:$0.34800
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 200 1:$0.77000
25:$0.59520
100:$0.52500
250:$0.45500
500:$0.38500
1,000:$0.30625
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 200 1:$0.77000
25:$0.59520
100:$0.52500
250:$0.45500
500:$0.38500
1,000:$0.30625
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.25375
5,000:$0.23625
12,500:$0.22750
25,000:$0.21875
SI5504BDC-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A,3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 3.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 220pF @ 15V
功率 - 最大: 3.12W,3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 1206-8 ChipFET?
包装: 带卷 (TR)