分离式半导体产品 SI4210DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4210DY-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI4210DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC	200	1:$0.77000 25:$0.59520 100:$0.52500 250:$0.45500 500:$0.38500 1,000:$0.30625
SI4210DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC	0	2,500:$0.25375 5,000:$0.23625 12,500:$0.22750 25,000:$0.21875

SI4210DY-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	2 个 N 沟道（双）
FET 特点:	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	6.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	35.5 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	445pF @ 15V
功率 - 最大:	2.7W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	8-SOIC（窄型）
包装:	剪切带 (CT)

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