型号
分离式半导体产品 SI4532ADY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI4532ADY-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI4532ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
0
2,500:$0.29580
SI9936BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET DUAL N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
0
2,500:$0.28710
SI4532ADY-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
N 和 P 沟道
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
3.7A,3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
53 毫欧 @ 4.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
1.13W,1.2W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SOICN
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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