型号
分离式半导体产品 PHKD13N03LT,118品牌、价格、PDF参数
PHKD13N03LT,118
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
PHKD13N03LT,118
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC
0
PHKD13N03LT,118
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
2 个 N 沟道(双)
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
10.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
20 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
10.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
752pF @ 15V
功率 - 最大:
3.57W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:
8-SO
包装:
带卷 (TR)
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