型号
半导体模块 APTCV40H60CT1G品牌、价格、PDF参数
APTCV40H60CT1G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
APTCV40H60CT1G
Microsemi Power Products Group
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
0
11:$77.28636
APTCV40H60CT1G
PDF参数
类别:
半导体模块
IGBT 类型:
沟道和场截止
配置:
全桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):
600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):
1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):
80A
电流 - 集电极截止(最大):
250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):
3.15nF @ 25V
功率 - 最大:
176W
输入:
标准
NTC 热敏电阻:
是
安装类型:
底座安装
封装/外壳:
SP1
供应商设备封装:
SP1
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