半导体模块 APTGT30H170T3G品牌、价格、PDF参数

APTGT30H170T3G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
APTGT30H170T3G Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 0 11:$76.96727
APTGT300DA60D3G Microsemi Power Products Group IGBT 600V 400A 940W D3 0 10:$122.45400
APTGF50DH120TG Microsemi Power Products Group IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 0 11:$76.37636
APTGF100DU120TG Microsemi Power Products Group IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 0 10:$91.83500
APTGT150DU60TG Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 0 11:$76.07545
APTGT50DH120TG Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 0 11:$76.01364
APTGT30H170T3G • PDF参数
类别: 半导体模块
IGBT 类型: 沟道和场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 45A
电流 - 集电极截止(最大): 250µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 2.5nF @ 25V
功率 - 最大: 210W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商设备封装: SP3