分离式半导体产品 STB36NM60N品牌、价格、PDF参数

STB36NM60N • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
STB36NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 500 1:$11.44000
10:$10.38200
25:$9.62640
100:$8.82000
250:$8.06400
500:$7.50960
STB36NM60N • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 29A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105 毫欧 @ 14.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 83.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2722pF @ 100V
功率 - 最大: 210W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 剪切带 (CT)