分离式半导体产品 IPD600N25N3 G品牌、价格、PDF参数

IPD600N25N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPD600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 7,500 2,500:$1.05624
5,000:$1.01712
12,500:$0.97800
25,000:$0.95844
62,500:$0.93888
BSZ0901NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 7,996 1:$2.70000
10:$2.31700
25:$2.08480
100:$1.89190
250:$1.69884
500:$1.46718
1,000:$1.23552
2,500:$1.11969
BSF134N10NJ3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 5,000 5,000:$1.04572
10,000:$1.00550
25,000:$0.98539
50,000:$0.96528
IPD600N25N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: PG-TO252-3
包装: 带卷 (TR)