分离式半导体产品 BSC070N10NS3 G品牌、价格、PDF参数

BSC070N10NS3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSC070N10NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 5,788 1:$2.74000
10:$2.34700
25:$2.11200
100:$1.91640
250:$1.72084
500:$1.48618
1,000:$1.25152
2,500:$1.13419
BSZ0901NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 5,000 5,000:$1.00386
10,000:$0.96525
25,000:$0.94595
50,000:$0.92664
IPD034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 4,160 1:$2.60000
10:$2.22600
25:$2.00360
100:$1.81810
250:$1.63264
500:$1.41000
1,000:$1.18736
IPD034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 4,160 1:$2.60000
10:$2.22600
25:$2.00360
100:$1.81810
250:$1.63264
500:$1.41000
1,000:$1.18736
BSC070N10NS3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 75µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 50V
功率 - 最大: 114W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商设备封装: PG-TDSON-8
包装: Digi-Reel®