分离式半导体产品 BSZ0901NSI品牌、价格、PDF参数

BSZ0901NSI • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
BSZ0901NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 5,000 5,000:$1.00386
10,000:$0.96525
25,000:$0.94595
50,000:$0.92664
IPD034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 4,160 1:$2.60000
10:$2.22600
25:$2.00360
100:$1.81810
250:$1.63264
500:$1.41000
1,000:$1.18736
IPD034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 4,160 1:$2.60000
10:$2.22600
25:$2.00360
100:$1.81810
250:$1.63264
500:$1.41000
1,000:$1.18736
BSZ0901NSI • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装: 带卷 (TR)