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分离式半导体产品 SIE820DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIE820DF-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIE820DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK 750 1:$3.42000
25:$2.79320
100:$2.50800
250:$2.28000
500:$1.99500
1,000:$1.71000
SIE820DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK 0 3,000:$1.51620
6,000:$1.45350
15,000:$1.41360
30,000:$1.36800
SIE820DF-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 毫欧 @ 18A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 143nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4300pF @ 10V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?（S）
供应商设备封装: 10-PolarPAK?（S）
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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