型号

分离式半导体产品 IPB029N06N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB029N06N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB029N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 1,975 1:$3.01000
10:$2.58000
25:$2.32200
100:$2.10700
250:$1.89200
500:$1.63400
IPB029N06N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.9 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 118µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13000pF @ 30V
功率 - 最大: 188W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020