型号
分离式半导体产品 SI7120ADN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI7120ADN-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI7120ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1212-8 PPAK
0
3,000:$0.67200
6,000:$0.63840
15,000:$0.61200
30,000:$0.59520
75,000:$0.57600
SI7120ADN-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
21 毫欧 @ 9.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
功率 - 最大:
1.5W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:
PowerPAK? 1212-8
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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