分离式半导体产品 IPB320N20N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB320N20N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3 0 1,000:$1.55582
2,000:$1.47803
5,000:$1.41691
10,000:$1.37801
25,000:$1.33356
SPP80P06P H Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 80A TO-220 508 1:$3.30000
10:$2.95100
25:$2.65560
100:$2.41940
250:$2.18336
500:$1.95914
1,000:$1.65228
2,500:$1.56967
5,000:$1.50476
IPI65R420CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262 500 1:$3.30000
10:$2.94700
25:$2.65240
100:$2.41670
250:$2.18096
500:$1.95698
1,000:$1.65046
2,500:$1.56794
5,000:$1.50310
IPB320N20N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 34A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 34A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 90µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: PG-TO263-2
包装: 带卷 (TR)