型号
分离式半导体产品 IPP048N12N3 G品牌、价格、PDF参数
IPP048N12N3 G
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
IPP048N12N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
296
1:$4.78000
10:$4.26700
25:$3.84000
100:$3.49870
250:$3.15740
500:$2.83312
1,000:$2.38938
2,500:$2.26991
5,000:$2.17604
IPP048N12N3 G
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
4.8 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 230µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
182nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
12000pF @ 60V
功率 - 最大:
300W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
PG-TO220-3
包装:
管件
电子产品资料
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