型号
分离式半导体产品 SIE820DF-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIE820DF-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIE820DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK
750
1:$3.42000
25:$2.79320
100:$2.50800
250:$2.28000
500:$1.99500
1,000:$1.71000
SIE820DF-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
3.5 毫欧 @ 18A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
143nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
4300pF @ 10V
功率 - 最大:
104W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
10-PolarPAK?(S)
供应商设备封装:
10-PolarPAK?(S)
包装:
Digi-Reel®
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