型号
分离式半导体产品 SI3460DDV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI3460DDV-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
3,000
3,000:$0.13950
6,000:$0.13050
15,000:$0.12150
30,000:$0.11475
75,000:$0.11250
150,000:$0.10800
SUM90N08-6M2P-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK
2,148
1:$2.97000
25:$2.29240
100:$2.08010
250:$1.86780
SUM90N08-6M2P-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK
800
800:$1.35600
SI3460DDV-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
7.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
28 毫欧 @ 5.1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
18nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
666pF @ 10V
功率 - 最大:
2.7W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装:
6-TSOP
包装:
带卷 (TR)
电子产品资料
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