型号
分离式半导体产品 SI3464DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SI3464DV-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
2,996
1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SIB488DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
500
1:$0.61000
25:$0.42360
100:$0.36300
250:$0.31352
500:$0.26950
1,000:$0.20900
SI3464DV-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
标准
漏极至源极电压(Vdss):
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
24 毫欧 @ 7.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
18nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
1065pF @ 10V
功率 - 最大:
3.6W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装:
6-TSOP
包装:
剪切带 (CT)
电子产品资料
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