分离式半导体产品 SI4666DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4666DY-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC 2,500 2,500:$0.31900
5,000:$0.29700
12,500:$0.28600
25,000:$0.27500
62,500:$0.27060
125,000:$0.26400
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 8-SOIC 15,157 1:$0.97000
25:$0.74800
100:$0.66000
250:$0.57200
500:$0.48400
1,000:$0.38500
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 8-SOIC 15,157 1:$0.97000
25:$0.74800
100:$0.66000
250:$0.57200
500:$0.48400
1,000:$0.38500
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 8-SOIC 15,000 2,500:$0.31900
5,000:$0.29700
12,500:$0.28600
25,000:$0.27500
62,500:$0.27060
125,000:$0.26400
SI4666DY-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1145pF @ 10V
功率 - 最大: 5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)