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分离式半导体产品 IPB036N12N3 G品牌、价格、PDF参数

IPB036N12N3 G • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
IPB036N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7 2,204 1:$7.24000
10:$6.51500
25:$5.91160
100:$5.30840
250:$4.82580
500:$4.22258
IPB036N12N3 G • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 180A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 211nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13800pF @ 60V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装: PG-TO263-7
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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