分离式半导体产品 SI3464DV-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI3464DV-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP 2,996 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SI1307EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3 0 3,000:$0.17050
6,000:$0.15950
15,000:$0.14850
30,000:$0.14025
75,000:$0.13750
150,000:$0.13200
SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP 0 3,000:$0.20925
6,000:$0.19575
15,000:$0.18225
30,000:$0.17213
75,000:$0.16875
150,000:$0.16200
SI3464DV-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫欧 @ 7.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1065pF @ 10V
功率 - 最大: 3.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: Digi-Reel®