型号
分离式半导体产品 SIS890DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SIS890DN-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SIS890DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V D-S 1212-8
0
1:$1.54000
25:$1.21520
100:$1.09350
250:$0.95176
500:$0.85050
1,000:$0.66825
SIS890DN-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
23.5 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
802pF @ 50V
功率 - 最大:
52W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:
PowerPAK? 1212-8
包装:
Digi-Reel®
电子产品资料
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