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分离式半导体产品 SI8497DB-T2-E1品牌、价格、PDF参数

SI8497DB-T2-E1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI8497DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V MICROFOOT 170 1:$0.70000
25:$0.49280
100:$0.42240
250:$0.36480
500:$0.31360
1,000:$0.24320
SI8497DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V MICROFOOT 0 3,000:$0.19840
6,000:$0.18560
15,000:$0.17280
30,000:$0.16320
75,000:$0.16000
150,000:$0.15360
SI8497DB-T2-E1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 13A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1320pF @ 15V
功率 - 最大: 13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UFBGA
供应商设备封装: 6-microfoot
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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