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分离式半导体产品 PHB191NQ06LT,118品牌、价格、PDF参数

PHB191NQ06LT,118 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
PHB191NQ06LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 800 800:$2.10000
1,600:$1.96000
2,400:$1.86200
5,600:$1.79200
20,000:$1.73600
40,000:$1.68000
PSMN2R8-80BS,118 NXP Semiconductors MOSF N CH 80V 120A D2PAK 0 800:$1.62000
1,600:$1.51200
2,400:$1.43640
5,600:$1.38240
20,000:$1.33920
40,000:$1.29600
PHB191NQ06LT,118 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 95.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7665pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
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