型号
分离式半导体产品 SISA10DN-T1-GE3品牌、价格、PDF参数
SISA10DN-T1-GE3
品牌、价格
元器件型号
厂商
描述
数量
价格
SISA10DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
0
1:$1.14000
25:$0.90000
100:$0.81000
250:$0.70500
500:$0.63000
1,000:$0.49500
SISA10DN-T1-GE3
PDF参数
类别:
分离式半导体产品
FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
3.7 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
51nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2425pF @ 15V
功率 - 最大:
39W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:
PowerPAK? 1212-8
包装:
剪切带 (CT)
电子产品资料
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