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分离式半导体产品 SI8461DB-T2-E1品牌、价格、PDF参数

SI8461DB-T2-E1 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT 9,336 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI8461DB-T2-E1 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: -
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 610pF @ 10V
功率 - 最大: 780mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-XFBGA，CSPBGA
供应商设备封装: 4-Microfoot
包装: Digi-Reel®
电脑版（www.mmic.net.cn）
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