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分离式半导体产品 SIRA04DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIRA04DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK 0 3,000:$0.53200
6,000:$0.50540
15,000:$0.48450
30,000:$0.47120
75,000:$0.45600
SIRA04DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.15 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3595pF @ 15V
功率 - 最大: 27.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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