分离式半导体产品 SI4628DY-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SI4628DY-T1-GE3 • 品牌、价格

元器件型号	厂商	描述	数量	价格
SI4628DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC	0	2,500:$0.71550 5,000:$0.68900 12,500:$0.66250 25,000:$0.64925
SIS407DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK	855	1:$1.10000 25:$0.87000 100:$0.78300 250:$0.68152 500:$0.60900 1,000:$0.47850

SI4628DY-T1-GE3 • PDF参数

类别:	分离式半导体产品
FET 型:	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:	标准
漏极至源极电压(Vdss):	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:	38A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:	3 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:	2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:	87nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:	3450pF @ 15V
功率 - 最大:	7.8W
安装类型:	表面贴装
封装/外壳:	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:	8-SOIC（窄型）
包装:	带卷 (TR)

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