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分离式半导体产品 SIHD3N50D-GE3品牌、价格、PDF参数

SIHD3N50D-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHD3N50D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK 0 3,000:$0.37422
6,000:$0.35551
15,000:$0.34081
30,000:$0.33145
75,000:$0.32076
SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH SCHOTTKY 30V 8SOIC 170 1:$1.86000
25:$1.43120
100:$1.29850
250:$1.16600
500:$1.00700
1,000:$0.84800
SIHD3N50D-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 欧姆 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: TO-252AA
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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