型号

分离式半导体产品 SIHD3N50D-GE3品牌、价格、PDF参数

SIHD3N50D-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIHD3N50D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK 50 1:$1.02000
25:$0.80200
100:$0.72170
250:$0.62816
500:$0.56134
1,000:$0.44105
SIHD3N50D-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 欧姆 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装: TO-252AA
包装: 剪切带 (CT)
电脑版（www.mmic.net.cn）
买卖IC网 版权所有©2006-2020