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分离式半导体产品 STB6NM60N品牌、价格、PDF参数

STB6NM60N • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
STB6NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK 0
STB6NM60N • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 920 毫欧 @ 2.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 420pF @ 50V
功率 - 最大: 45W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
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