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分离式半导体产品 SSM6J501NU,LF品牌、价格、PDF参数

SSM6J501NU,LF • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SSM6J501NU,LF Toshiba MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B 3,000 3,000:$0.29000
6,000:$0.27000
15,000:$0.26000
30,000:$0.25000
75,000:$0.24600
150,000:$0.24000
SSM6J501NU,LF • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-uDFN（2x2）
包装: 带卷 (TR)
电脑版（www.mmic.net.cn）
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