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分离式半导体产品 STQ2HNK60ZR-AP品牌、价格、PDF参数

STQ2HNK60ZR-AP • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
STQ2HNK60ZR-AP STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 4,000 2,000:$0.29600
6,000:$0.27500
10,000:$0.26500
50,000:$0.25100
100,000:$0.24500
STQ2HNK60ZR-AP • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 500mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 欧姆 @ 1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装: TO-92
包装: 带盒（TB）
电脑版（www.mmic.net.cn）
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