分离式半导体产品 SIRA12DP-T1-GE3品牌、价格、PDF参数

SIRA12DP-T1-GE3 • 品牌、价格
元器件型号 厂商 描述 数量 价格
SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 25A SO8 PWR PK 0 3,000:$0.39200
6,000:$0.37240
15,000:$0.35700
30,000:$0.34720
75,000:$0.33600
SI4090DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC 0 2,500:$0.60200
5,000:$0.57190
12,500:$0.54825
25,000:$0.53320
62,500:$0.51600
SI4646DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC 0 2,500:$0.42000
SI7682DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.41860
SIRA12DP-T1-GE3 • PDF参数
类别: 分离式半导体产品
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.3 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2070pF @ 15V
功率 - 最大: 31W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 带卷 (TR)